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DS1302M/TR

HGSEMI(华冠)

DS1302M/TR

HGSEMI(华冠)

民用级 具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

规格

HGSEMI(华冠)
中国
SOP-8
编带盘装
DS1302CDRG
具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片
10000
DS1302IDRG
具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片
10000
DS1302N
民用级 具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片
10000
DS1302ZM/TR
工业级 具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片
19990
DS1302ZN
工业级 具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片
10000
DS1307CDRG
低功耗、两线制串行读写接口、日历和时钟数据按BCD码存取的时钟/日历芯片
10000
DS1307IDRG
低功耗、两线制串行读写接口、日历和时钟数据按BCD码存取的时钟/日历芯片
10000
DS1307M/TR
一款低功耗、带 56 个字节用户非易失性 SRAM(NV SRAM)、全 BCD 码的时钟/日历电路
19990
DS1307N
一款低功耗、带 56 个字节用户非易失性 SRAM(NV SRAM)、全 BCD 码的时钟/日历电路
10000
DS1307ZM/TR
一款低功耗、带 56 个字节用户非易失性 SRAM(NV SRAM)、全 BCD 码的时钟/日历电路
19990
 

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