IPA60R190P6

型号：

IPA60R190P6

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

型号描述：

MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

文件规格书:

IPA60R190P6

规格

产品属性

属性值

Series：

CoolMOS™ P6

Packaging：

Tube

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

600V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

20.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

190mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

4.5V @ 630µ

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

37nC @ 10V

Vgs (Max)：

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1750pF @ 100V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

34W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Through Hole

Supplier Device Package：

PG-TO220-FP

Package / Case：

TO-220-3 Full Pack

Base Part Number：

IPA60R190

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型号描述

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无库存: 0

库存

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

¥12.6

总价:

¥12.600

数量

单价

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¥12.6

10+

¥9.59

¥95.9

100+

¥7.7

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500+

¥5.974

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